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电子元器件详细资料 » IC[21339] » IPB120N04S4-01
型号:IPB120N04S4-01类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C120A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.5 毫欧 @ 100A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 140µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs176nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds14000pF @ 25V
功率_最大188W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3-2
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
深圳市品惠科技有限公司李先生0755-23996734
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
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